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2N4401RLRPG

更新时间： 2024-01-31 14:27:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 124K
描述
General Purpose Transistors

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2N4401RLRPG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66基于收集器的最大容量：6.5 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：255 nsVCEsat-Max：0.75 V
Base Number Matches：1

2N4401RLRPG 数据手册

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2N4401  
Preferred Device  
General Purpose  
Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Total Device Dissipation  
V
CEO  
V
CBO  
1
60  
Vdc  
EMITTER  
V
EBO  
6.0  
Vdc  
I
C
600  
mAdc  
P
D
D
MARKING  
DIAGRAM  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1
2
Total Device Dissipation  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
2N  
4401  
YWW  
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
3
TO−92  
CASE 29  
STYLE 1  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Maximumratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
200  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
83.3  
°C/W  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference  
Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
June, 2004 − Rev. 1  
2N4401/D  
12345678

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2N4401RLRPG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4401TF ONSEMI

类似代替

 NPN Bipolar Junction Transistor, TO-92
2N4401G ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors
2N4401RLRAG ONSEMI

类似代替

 General Purpose Transistors

与2N4401RLRPG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4401RM FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4401RP ROCHESTER

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 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401SC KEC

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 		SOT-23(1)
2N4401STOA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
2N4401STOB DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S
2N4401-STYLE-B ALLEGRO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4401-STYLE-F ALLEGRO

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4401-STYLE-G ALLEGRO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N4401T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
2N4401-T/R NXP

获取价格

 		600mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN

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