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2N4171

更新时间: 2024-11-21 11:45:39
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NJSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
1页 102K
描述
SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V

2N4171 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
Base Number Matches:1

2N4171 数据手册

  

与2N4171相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4171LEADFREE CENTRAL

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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-64
2N4172 NJSEMI

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SCR, V(DRM) = 400V TO 499.9V
2N4172 CENTRAL

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2N4172 MOTOROLA

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SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
2N4172 DIGITRON

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Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 400; Max TMS Bridge Inp
2N4172LEADFREE CENTRAL

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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-64
2N4173 CENTRAL

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SCRs
2N4173 NJSEMI

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SCR, V(DRM) = 500V TO 599.9V
2N4173 MOTOROLA

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8A, 500V, SCR, CASE 86-01, 2 PIN
2N4173LEADFREE CENTRAL

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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 500V V(RRM), 1 Element, TO-64