Datasheet > 2N4170

2N4170

更新时间： 2024-02-03 17:38:19

品牌	Logo	应用领域
DIGITRON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	794K
描述
Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Input Voltage: 5; Max DC Reverse Voltage: 2; Capacitance: 30; Package: TO-64

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N4170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.13	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
JEDEC-95代码：	TO-64	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N4170 数据手册

2N4167-2N4174

SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

High-reliability discrete products

and engineering services since 1977

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Holding current

I_H

(V_D= 7V, gate open)

(V_D= 7V, gate open, T_C= -40°C)

Turn-on time (t_d+t_r)

(I_G= 20mA, IF = 5A, V_D= rated V_DRM

t_on

µs

)

Turn-off time

t_off

(I_F= 5A, I_R= 5A)

(I_F= 5A, I_R= 5A, T_C= 100°C, V_D= rated V_DRM

(dv/dt = 30V/µs)

)

Forward voltage application rate (exponential)

dv/dt

V/µs

(Gate open, T_C= 100°C, V_D= rated V_DRM

)

MECHANICAL CHARACTERISTICS

Case:

TO-64

Marking:

Pin out:

Alpha-Numeric

See below

Rev. 20130108

123 4

下载PDF

与2N4170相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N4170LEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(RRM), 1 Element, TO-64	获取价格
2N4171	CENTRAL	SCRs	获取价格
2N4171	NJSEMI	SCR, V(DRM) = 300V TO 399.9V	获取价格
2N4171	MOTOROLA	8A, 300V, SCR, CASE 86-01, 2 PIN	获取价格
2N4171LEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 300V V(RRM), 1 Element, TO-64	获取价格
2N4172	NJSEMI	SCR, V(DRM) = 400V TO 499.9V	获取价格