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2N3906RLRA

更新时间: 2024-10-27 21:55:19
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
General Purpose Transistors

2N3906RLRA 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:6.62Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns
Base Number Matches:1

2N3906RLRA 数据手册

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2N3906  
Preferred Device  
General Purpose  
Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
2
BASE  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
Vdc  
1
EMITTER  
5.0  
Vdc  
Collector Current – Continuous  
I
C
200  
mAdc  
STYLE 1  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
TO–92  
CASE 29  
STYLE 1  
Total Power Dissipation  
P
P
250  
mW  
D
@ T = 60°C  
A
1
2
Total Device Dissipation  
D
3
@ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAMS  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
°C  
2N  
3906  
YWW  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1.)  
Characteristic Symbol  
Thermal Resistance,  
Max  
Unit  
R
R
200  
°C/W  
θJA  
Junction to Ambient  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
83.3  
°C/W  
θJC  
1. Indicates Data in addition to JEDEC Requirements.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
2N3906  
Package  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
TO–92  
Shipping  
5000 Units/Box  
2N3906RLRA  
2N3906RLRE  
2N3906RLRM  
2N3906RLRP  
2N3906RL1  
2000/Tape & Reel  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
2000/Tape & Reel  
2000/Ammo Pack  
2N3906ZL1  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 0  
2N3906/D  

2N3906RLRA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3906BU ONSEMI

完全替代

小信号 PNP 双极晶体管,TO-92
2N3906TF ONSEMI

完全替代

小信号 PNP 双极晶体管,TO-92
2N3906TFR ONSEMI

完全替代

小信号 PNP 双极晶体管,TO-92

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3906RLRAG ONSEMI

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General Purpose Transistors PNP Silicon
2N3906RLRE ONSEMI

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General Purpose Transistors
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General Purpose Transistors
2N3906RLRMG ONSEMI

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General Purpose Transistors PNP Silicon
2N3906RLRP ONSEMI

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General Purpose Transistors
2N3906RLRPG ONSEMI

获取价格

General Purpose Transistors PNP Silicon
2N3906S KEC

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
2N3906S_04 KEC

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SOT-23 PACKAGE
2N3906S_05 KEC

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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N3906SC KEC

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SOT-23(1)