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2N3651M

更新时间: 2024-01-08 02:12:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 232K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-208AA

2N3651M 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
标称电路换相断开时间:15 µs关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:500 mA最大直流栅极触发电压:4.5 V
最大维持电流:350 mA最大漏电流:6 mA
通态非重复峰值电流:180 A最大通态电流:16000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-60 °C
断态重复峰值电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N3651M 数据手册

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