品牌 | Logo | 应用领域 |
意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 栅栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 232K | |
描述 | ||
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.84 |
标称电路换相断开时间: | 15 µs | 关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 500 mA | 最大直流栅极触发电压: | 4.5 V |
最大维持电流: | 350 mA | 最大漏电流: | 4 mA |
通态非重复峰值电流: | 180 A | 最大通态电流: | 16000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -60 °C |
断态重复峰值电压: | 400 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N3654 | NJSEMI | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
获取价格 |
|
2N3654M | STMICROELECTRONICS | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
获取价格 |
|
2N3655 | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 27A I(T)RMS, 16000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
获取价格 |
|
2N3655 | STMICROELECTRONICS | 35A, 100V, SCR, TO-48 |
获取价格 |
|
2N3655 | NJSEMI | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
获取价格 |
|
2N3655M | STMICROELECTRONICS | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
获取价格 |