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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
栅栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 232K |  |
| 描述 | ||
| SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),16A I(T),TO-208AA | ||
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 500 mA | 最大直流栅极触发电压： | 4.5 V |
| 最大维持电流： | 350 mA | 最大漏电流： | 6 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 180 A | 最大通态电流： | 16000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 断态重复峰值电压： | 100 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3651 | NJSEMI | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N3651 | POWEREX | Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM), |
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| 2N3651 | STMICROELECTRONICS | 35A, 200V, SCR, TO-48 |
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| 2N3651M | STMICROELECTRONICS | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
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| 2N3652 | NJSEMI | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N3653 | NJSEMI | SCR, V(DRM) = 400V TO 499.9V |
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