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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3301LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
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| 2N3302 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3302 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3302 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A |
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| 2N3302LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| 2N3303 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-9VAR |
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| 2N3304 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | TO-18 |
|
| 2N3306 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N3307 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
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| 2N3307 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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