是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.75 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 150 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 75 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 1 W | 最大功率耗散 (Abs): | 5 W |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 10 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N2729 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-46 | |
2N2730 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 65A I(C) | TO-36 | |
2N2731 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 65A I(C) | TO-36 | |
2N2732 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 65A I(C) | TO-36 | |
2N2733 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 | |
2N2734 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 | |
2N2735 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 | |
2N2736 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 | |
2N2737 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 | |
2N2738 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 65A I(C) | STR-3/8 |