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2N2757

更新时间: 2024-01-27 05:45:33
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 296K
描述
20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

2N2757 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.45
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-63JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:200 W
最大功率耗散 (Abs):200 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2N2757 数据手册

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