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2N2229

更新时间: 2024-11-07 20:29:15
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APITECH 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN

2N2229 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-82
包装说明:TO-82, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.46外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):250
JESD-30 代码:O-MBPM-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:150 W最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):0.007 MHzVCEsat-Max:3.5 V
Base Number Matches:1

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