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2N2219A

更新时间： 2024-01-03 05:26:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	76K
描述
HIGH SPEED SWITCHES

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2N2219A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.05
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

2N2219A 数据手册

2N2219A/2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(continued)

Symbol

Parameter

Noise Figure

Test Conditions

I_C= 0.1 mA V_CE= 10 V

Min.

Typ.

Max.

Unit

f = 1KHz

R_g= 1K

Ω

h_ie

Input Impedance

I_C= 1 mA

V_CE= 10 V

kΩ

I_C= 10 mA V_CE= 10 V

Reverse Voltage Ratio I_C= 1 mA V_CE= 10 V

I_C= 10 mA V_CE= 10 V

I_C= 1 mA V_CE= 10 V

I_C= 10 mA V_CE= 10 V

V_CC= 30 V I_C= 150 mA

I_B1= 15 mA V_BB= -0.5 V

V_CC= 30 V I_C= 150 mA

I_B1= 15 mA V_BB= -0.5 V

V_CC= 30 V I_C= 150 mA

I_B1= -I_B2= 15 mA

0.25

1.25

Ω

h_re

10^-4

h_oe

t_d

Output Admittance

Delay Time

200

µS

t_r

Rise Time

t_s

Storage Time

Fall Time

225

t_f

V_CC= 30 V

I_C= 150 mA

I_B1= -I_B2= 15 mA

r_bb’C_b’cFeedback Time

Constant

I_C= 20 mA V_CE= 20 V

f = 31.8MHz

150

Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %

See test circuit

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