Datasheet > 2N2219A

2N2219A

更新时间： 2024-01-28 13:14:20

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	76K
描述
HIGH SPEED SWITCHES

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N2219A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.05
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

2N2219A 数据手册

2N2219A/2N2222A

THERMAL DATA

TO-39

TO-18

R_thj-caseThermal Resistance Junction-Case

R_thj-ambThermal Resistance Junction-Ambient

Max

187.5

83.3

300

^oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_case= 25 ^oC unless otherwisespecified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_CBO

Collector Cut-off

Current (I_E= 0)

V_CB= 60 V

µA

T_case= 150 C

I_CEX

I_BEX

I_EBO

Collector Cut-off

Current (V_BE= -3V)

V_CE= 60 V

Base Cut-off Current

(V_BE= -3V)

V_CE= 60 V

Emitter Cut-off Current V_EB= 3 V

(I_C= 0)

V_(BR)CBOCollector-Base

Breakdown Voltage

(I_E= 0)

I_C= 10 µA

I_C= 10 mA

I_E= 10 µA

V_(BR)CEOCollector-Emitter

Breakdown Voltage

(I_B= 0)

V_(BR)EBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

(I_C= 0)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Emitter

Saturation Voltage

I_C= 150 mA

I_C= 500 mA

I_B= 15 mA

I_B= 50 mA

0.3

Base-Emitter

Saturation Voltage

I_C= 150 mA

I_C= 500 mA

I_B= 15 mA

I_B= 50 mA

0.6

1.2

DC Current Gain

I_C= 0.1 mA

I_C= 1 mA

V_CE= 10 V

V_CE= 1 V

100

I_C= 10 mA

I_C= 150 mA

I_C= 500 mA

I_C= 150 mA

I_C= 10 mA

300

V_CE= 10 V

T_amb= -55 C

h_fe

Small Signal Current

Gain

I_C= 1 mA

I_C= 10 mA V_CE= 10 V

V_CE= 10 V

f = 1KHz

300

375

f_T

Transition Frequency

I_C= 20 mA

f = 100 MHz

V_CE= 20 V

300

MHz

C_EBO

C_CBO

R_e(hie)

Emitter Base

Capacitance

I_C= 0

I_E= 0

V_EB= 0.5 V

V_CB= 10 V

f = 100KHz

f = 100 KHz

Collector Base

Capacitance

Real Part of Input

Impedance

I_C= 20 mA

f = 300MHz

V_CE= 20 V

Ω

Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %

2/8

123 4 5 6 7 8

下载PDF

与2N2219A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2219A_03	STMICROELECTRONICS	HIGH SPEED SWITCHES	获取价格
2N2219A_11	MCC	SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON	获取价格
2N2219A{TAPE-REEL}	NXP	TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, BIP General Purpose Small Signal	获取价格
2N2219ADWP	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.019 X 0.019 INCH	获取价格
2N2219AHR	STMICROELECTRONICS	Hi-Rel NPN bipolar transistor 40 V, 0.8 A	获取价格
2N2219AL	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5	获取价格