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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 250 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-114 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2114 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2116 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2117 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2118 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2119 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | STR-1/2 |
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| 2N2123 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2124 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2125 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2126 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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| 2N2130 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal, |
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