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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-8 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-8 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.35 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1701E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 40V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 Pin, TO-8, |
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| 2N1702 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| 2N1703 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36 |
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| 2N1704 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-5 |
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| 2N1705 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1706 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1707 | ETC |
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alloy-junction germanium transistors |
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| 2N1708 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-46 |
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| 2N1708A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-46 |
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| 2N1709 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-8 |
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