Datasheet > 2N1596

2N1596

更新时间： 2024-02-04 20:59:05

品牌	Logo	应用领域
COMSET		栅极
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
SILICON THYRISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N1596 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.12	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	10 mA	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N1596 数据手册

2N1595 thru 2N1599

2N1595 2N1596 2N1597 2N1598 2N1599

Symbol

I_DRM

Ratings

Peak Forward Blocking Current

(Rated V_DRMwith gate open _,T_J

=125°C)

Max :1.0

Gate Trigger Current (2)

Anode Voltage=7.0 Vdc, R_L=12Ω

Typ : 2.0

Max : 10

I_GT

Gate Trigger Voltage

Anode Voltage=7.0 Vdc, R_L=12Ω

Typ : 0.7

Max : 3.0

V_GT

_DRM= Rated, R_L=100Ω, T_J=125°C

Min : 0.2

Holding Current

Anode Voltage=7.0 Vdc, gate open

I_H

Typ : 5.0

Forward On Voltage

I_T=1 Adc

V_TM

Typ : 1.1

Max : 2.0

Turn-On Time (t_d+t_r)

I_GT=10 mA, I_T=1 A

t_gt

µs

Typ : 0.8

Typ : 10

Turn-Off Time

I_T=1 A, I_R=1 A, dv/dt=20 V/µs,

T_J=125°C

t_q

µs

_DRM= Rated Voltage

* V_DRMor V_RSMcan be applied for all types on a continuous dc basis without incurring damage.

MECHANICAL DATA CASE TO-39

DIMENSIONS

mm inches

6,25

13,59

9,24

8,24

0,78

1,05 0,041

0,42 0,165

45°

0,24

0,53

0,36

0,32

0,03

5,1

0,2

Pin 1 :

Pin 2 :

Pin 3 :

Cathode

Gate

Anode

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability

for the consequences of use of such information nor for errors that could appear.

Data are subject to change without notice.

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

2/2

下载PDF

与2N1596相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N1596A	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1596ALEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-39	获取价格
2N1597	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1597	ASI	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N1597	DIGITRON	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 200; Max TMS Bridge Inp	获取价格
2N1597	NJSEMI	Silicon Controlled Rectifiers	获取价格