2N1598

更新时间： 2024-11-12 05:56:39

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COMSET		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
SILICON THYRISTOR

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2N1598 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	标称电路换相断开时间：	10 µs
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大漏电流：	1 mA	通态非重复峰值电流：	15 A
最大通态电流：	1600 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	断态重复峰值电压：	300 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

2N1598 数据手册

2N1595 thru 2N1599

SILICON THYRISTOR

Industrial-type, low-current silicon controlled rectifiers

in a three-lead package ideal for printed-circuit applications.

Current handling capability of 1.6 amperes at junction temperetures to 125°C

MAXIMUM RATINGS (*)

T_J=125°C unless otherwise noted

2N1595 2N1596 2N1597 2N1598 2N1599

Symbol

V_RSM(REP)

Ratings

Peak reverse blocking voltage *

100

200

1.6

300

400

Forward Current RMS (all conduction

angles)

Amp

I_T(RMS)

Peak Surge Current

(One Cycle, 60Hz, T_J=-65 to +125°C)

Amp

I_TSM

0.1

0.01

0.1

P_GM

Peak Gate Power – Forward

Average Gate Power - Forward

Peak Gate Current – Forward

Peak Gate Voltage - Forward

Peak Gate Voltage - Reverse

P_G(AV)

I_GM

Amp

V_GFM

V_GRM

Operating

Range

Junction

Temperature

T_J

-65 to +125

-65 to +150

°C

Storage Temperature Range

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_J=25°C unless otherwise noted, R_GK=1000Ω

2N1595 2N1596 2N1597 2N1598 2N1599

Symbol

V_DRM

Ratings

Peak Forward Blocking

Voltage *

Min :

100

200

300

400

Peak Reverse Blocking Current

(Rated V_DRM, T_J=125°C)

I_RRM

Max : 1.0

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

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