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2N1597

更新时间： 2024-09-23 20:08:31

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	103K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-205AD

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2N1597 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	10 µs	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	6 mA
通态非重复峰值电流：	15 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1600 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N1597A	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme
2N1598	COMSET	获取价格	SILICON THYRISTOR
2N1598	NJSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers
2N1598	TI	获取价格	1A, 300V, SCR, TO-5
2N1598	ASI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1000mA I(T), 300V V(DRM)
2N1598	DIGITRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 300; Max TMS Bridge Inp
2N1598	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Eleme
2N1598A	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Eleme
2N1598A	SSDI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 1000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Eleme
2N1599	NJSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers