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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> 2KBP06M_NL
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2KBP06M_NL

更新时间： 2024-11-03 13:01:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC, KBPM, 4 PIN

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2KBP06M_NL 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.05
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：600 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE最大功率耗散：4.7 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

2KBP06M_NL 数据手册

 浏览型号2KBP06M_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2KBP06M_NL的Datasheet PDF文件第3页 
2KBP005M/3N253 - 2KBP10M/3N259  
Features  
• Surge overload rating: 60 amperes  
peak.  
• Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique.  
~
~
-
• UL certified, UL #E111753.  
+
KBPM  
Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Value  
005M 01M 02M 04M 06M 08M 10M  
Symbol  
Parameter  
Units  
253  
50  
254 255 256 257 258  
100 200 400 600 800 1000  
70 140 280 420 560 700  
259  
VRRM  
VRMS  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
V
V
35  
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
50  
100 200 400 600 800 1000  
IF(AV)  
Average Rectified Forward Current,  
@ TA = 50°C  
2.0  
A
IFSM  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
60  
A
Storage Temperature Range  
-55 to +165  
-55 to +165  
°C  
°C  
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
PD  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient,* per leg  
4.7  
30  
W
RθJA  
°C/W  
*Device mounted on PCB with 0.47 x 0.47" (12 x 12 mm).  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Device  
Units  
VF  
IR  
Forward Voltage, per bridge @ 3.14 A  
Reverse Current, total bridge @ rated VR  
1.1  
V
5.0  
500  
A
A
µ
µ
T = 25 C  
°
A
T = 125 C  
°
A
I2t rating for fusing  
t < 8.35 ms  
15  
25  
A2s  
CT  
Total Capacitance, per leg  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
pF  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
2KBP005/3N253-2KBP10/3N259, Rev.  
D
123

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与2KBP06M_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2KBP06M-BP MCC

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE K
2KBP06M-E4 VISHAY

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