2SK2596

更新时间： 2024-02-01 19:42:16

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瑞萨 - RENESAS		放大器功率放大器
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描述
Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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2SK2596 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	17 V	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2596 数据手册

2SK2596

Silicon N-Channel MOS FET

UHF Power Amplifier

REJ03G0207-0300

(Previous ADE-208-1367(Z))

Rev.3.00

Feb.14.2005

Features

•

High power output, High gain, High efficiency

PG = 12.2 dB, Pout = 30.2 dBm, ηD = 45%min. (f = 836.5 MHz)

Compact package capable of surface mounting

•

Outline

PLZZ0004CA-A

(Previous code : UPAK)

1. Gate

2. Source

3. Drain

4. Source

Note: Marking is “BX“.

This Device is sensitive to Electro Static Discharge. An Adequate handling procedure is requested.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

±10

0.4

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Pch ^Note2

Tch

Channel dissipation

°C

Channel temperature

Storage temperature

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

150

Tstg

–45 to +150

Rev.3.00, Feb.14.2005, page 1 of 4

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