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2SC5064

更新时间: 2024-01-30 22:04:18
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东芝 - TOSHIBA 放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 346K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (WHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC5064 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-59
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.26
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.03 A基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7000 MHzBase Number Matches:1

2SC5064 数据手册

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