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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1908
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2SA1908

更新时间： 2024-02-24 15:41:28
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1908 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FM100, TO-3PF, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.39外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SA1908 数据手册

  
2 S A1 9 0 8  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5100)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SA1908  
Unit  
Conditions  
2SA1908  
Unit  
µA  
µA  
V
Symbol  
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
ICBO  
VCB=–120V  
–10max  
–10max  
–120min  
50min  
–120  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
IEBO  
VEB=–6V  
–120  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–50mA  
–6  
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=–4V, IC=–3A  
IC=–3A, IB=–0.3A  
VCE=–12V, IE=0.5A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–8  
–3  
A
a
b
VCE(sat)  
fT  
–0.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
IB  
A
PC  
75(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
0.8  
COB  
300typ  
Tj  
2.15  
+0.2  
Tstg  
–55 to +150  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
1.05  
-0.1  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VBB1  
(V)  
B
E
–40  
10  
–4  
–10  
5
–0.4  
0.4  
0.14typ 1.40typ 0.21typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–8  
–6  
–4  
–2  
0
–3  
–8  
–6  
–4  
–2  
0
–2  
–50mA  
–25mA  
–1  
IC=–8A  
IB=–10mA  
–4A  
–2A  
–0.6  
Base Current IB(A)  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.2  
–0.4  
–0.8  
–1.0  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
200  
100  
300  
4
125˚C  
Typ  
25˚C  
100  
1
–30˚C  
0.5  
50  
50  
30  
30  
–0.02  
0.2  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –8  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –8  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
80  
30  
20  
–20  
–10  
Typ  
60  
40  
–5  
–1  
10  
–0.5  
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
–0.1  
–5  
0
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
8
–10  
–50  
–100 –150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
36  
1

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