2PD602AS

更新时间： 2024-02-03 02:43:43

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
NPN general purpose transistor

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2PD602AS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.64	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	170
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2PD602AS 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN general purpose transistor

2PD602A

FEATURES

PINNING

• High current (max. 500 mA)

• Low voltage (max. 50 V).

DESCRIPTION

base

emitter

collector

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

handbook, halfpage

NPN transistor in an SC-59 plastic package.

PNP complement: 2PB710A.

MARKING

Top view

TYPE NUMBER

2PD602AQ

MARKING CODE

MAM321

2PD602AR

2PD602AS

Fig.1 Simplified outline (SC-59) and symbol.

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

collector-base voltage

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

−

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

open base

open collector

500

I_CM

I_BM

200

250

+150

150

+150

°C

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

T_amb≤ 25 °C; note 1

−65

−

°C

T_amb

−65

°C

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

1999 Apr 23

123 4 5 6 7 8

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