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28LV011RPFI-25

更新时间： 2024-01-10 15:41:53

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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19页	305K
描述
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28LV011RPFI-25 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL32,.4	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-XDFP-F32	长度：	20.828 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL32,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	3.6322 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	10.414 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	Base Number Matches：	1

28LV011RPFI-25 数据手册

28LV011

3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

Product Ordering Options

Model Number

28LV011

-XX

Option Details

20 = 200 ns

Feature

Access Time

25 = 250 ns

Monolithic

Screening Flow

S = Maxwell Class S

B = Maxwell Class B

I = Industrial (testing @ -55°C,

+25°C, +125°C)

E = Engineering (testing @ +25°C)

F = Flat Pack

Package

RP = R^AD-PAK® package

RT1¹= Guaranteed to 10 krad at

die level

Radiation Feature

RT2¹= Guaranteed to 25 krad at

die level

RT4¹= Guaranteed to 40 krad at

die level

1. No Radiation

Guarantee for

Class E & I

3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit)

EEPROM

Base Product

Nomenclature

05.28.02 Rev 2

All data sheets are subject to change without notice 19

1...16 17 1819

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