是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.322 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00015 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
28C64B-90I/D | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | |
28C64B-90I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
28C64B-90I/K | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
28C64B-90I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
28C64B-90I/P | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 5V, 90 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
28C64B-90ID | MICROCHIP |
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64K (8K x8) CMOS Erasable PROM | |
28C64B-90IJ | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x8) CMOS Erasable PROM | |
28C64B-90IK | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x8) CMOS Erasable PROM | |
28C64B-90IL | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x8) CMOS Erasable PROM | |
28C64B-90IP | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x8) CMOS Erasable PROM |