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28C64B-15I/K

更新时间： 2024-02-12 12:38:58

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	248K
描述
8K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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28C64B-15I/K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
28C64B-15I/L	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
28C64B-15I/P	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
28C64B-15ID	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x8) CMOS Erasable PROM
28C64B-15IJ	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x8) CMOS Erasable PROM
28C64B-15IK	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x8) CMOS Erasable PROM
28C64B-15IL	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x8) CMOS Erasable PROM
28C64B-15IP	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x8) CMOS Erasable PROM
28C64B-20/D	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
28C64B-20/J	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
28C64B-20/K	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32