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28C64B-15IK

更新时间: 2024-01-02 05:46:21
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
8页 306K
描述
64K (8K x8) CMOS Erasable PROM

28C64B-15IK 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.16
最长访问时间:150 ns其他特性:AUTOMATIC WRITE
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:36.322 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00015 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
宽度:15.24 mm最长写入周期时间 (tWC):1 ms
Base Number Matches:1

28C64B-15IK 数据手册

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