是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 8 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
28C64AF-20I/J | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
28C64AF-20I/K | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
28C64AF-20I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AF-20I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AF-20I/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AF-20I/TS | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28 | |
28C64AF-20I/VS | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28 | |
28C64AF-20IL | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AF-20IP | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM | |
28C64AF-20ISO | MICROCHIP |
获取价格 |
64K (8K x 8) CMOS EEPROM |