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28C04AF-25I/J

更新时间： 2024-11-20 20:58:11

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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512 X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP24, CERDIP-24

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28C04AF-25I/J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP24,.6	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	250 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; BULK ERASE; DATA RETENTION > 10 YEARS	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-GDIP-T24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
最长写入周期时间 (tWC)：	0.2 ms	Base Number Matches：	1

28C04AF-25I/J 数据手册

28C04A

4K (512 x 8) CMOS EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• Fast Read Access Time—150 ns

• CMOS Technology for Low Power Dissipation

- 30 mA Active

DIP

• 1

24 Vcc

23 A8

22 NC

21 WE

20 OE

19 NC

18 CE

17 I/O7

16 I/O6

15 I/O5

- 100 µA Standby

• Fast Byte Write Time—200 µs or 1 ms

• Data Retention >200 years

I/O0

I/O1

I/O2

• Endurance - Minimum 10 Erase/Write Cycles

- Automatic Write Operation

- Internal Control Timer

I/O4

V_SS12

13 I/O3

- Auto-Clear Before Write Operation

- On-Chip Address and Data Latches

• Data Polling

PLCC

• Chip Clear Operation

29 A8

A1 10

A0 11

28 NC

27 NC

26 NC

25 OE

24 NC

23 CE

22 I/O7

21 I/O6

• Enhanced Data Protection

- VCC Detector

- Pulse Filter

- Write Inhibit

NC 12

I/O0 13

• 5-Volt-Only Operation

• Organized 512x8 JEDEC standard pinout

- 24-pin Dual-In-Line Package

- 32-pin PLCC Package

• Pin 1 indicator on PLCC on top of package

• Available for Extended Temperature Ranges:

- Commercial: 0˚C to +70˚C

- Industrial: -40˚C to +85˚C

BLOCK DIAGRAM

I/O0

I/O7

DESCRIPTION

VSS

Data Protection

The Microchip Technology Inc. 28C04A is a CMOS 4K

non-volatile electrically Erasable and Programmable

Read Only Memory (EEPROM). The 28C04A is

accessed like a static RAM for the read or write cycles

without the need of external components. During a

“byte write”, the address and data are latched internally,

freeing the microprocessor address and data bus for

other operations. Following the initiation of write cycle,

the device will go to a busy state and automatically

clear and write the latched data using an internal con-

trol timer. To determine when a write cycle is complete,

the 28C04A uses Data polling. Data polling allows the

user to read the location last written to when the write

operation is complete. CMOS design and processing

enables this part to be used in systems where reduced

power consumption and reliability are required. A com-

plete family of packages is offered to provide the utmost

ﬂexibility in applications.

VCC

Circuitry

Chip Enable/

Output Enable

Control Logic

Input/Output

Buffers

Auto Erase/Write

Timing

Data

Poll

Program Voltage

Generation

Y Gating

Decoder

4K bit

Cell Matrix

Decoder

1996 Microchip Technology Inc.

DS11126F-page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
28C04AF-25I/K	MICROCHIP	获取价格	512 X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
28C04AF-25I/L	MICROCHIP	获取价格	4K (512 x 8) CMOS EEPROM
28C04AF-25I/P	MICROCHIP	获取价格	4K (512 x 8) CMOS EEPROM
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