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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 12.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 总剂量： | 100k Rad(Si) V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 27C64RPDSDI-70 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27C64RPDSDP-70 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| 27C64RPDSDS-70 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| 27C64T-12/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 120 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| 27C64T-12/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 120 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
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| 27C64T-12E/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 120 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| 27C64T-12I/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 120 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| 27C64T-12I/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 120 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
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| 27C64T-15E/L | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| 27C64T-15E/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 OTPROM, 150 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
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