Datasheet > 存储 > EPROM> 27C512A-10E/P

27C512A-10E/P

更新时间： 2024-11-24 03:55:51

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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10页	133K
描述
512K (64K x 8) CMOS EPROM

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27C512A-10E/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	DATA RETENTION >200 YEARS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.32 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.83 mm
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

27C512A-10E/P 数据手册

Obsolete Device

27C512A

512K (64K x 8) CMOS EPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• High speed performance

PLCC

• CMOS Technology for low power consumption

- 25 mA Active current

- 30 µA Standby current

A11

OE/V^PP

A10

• Factory programming available

• Auto-insertion-compatible plastic packages

• Auto ID aids automated programming

• High speed express programming algorithm

• Organized 64K x 8: JEDEC standard pinouts

- 28-pin Dual-in-line package

DIP/SOIC

- 32-pin PLCC Package

A15

A12

VCC

A14

A13

- 28-pin SOIC package

- Tape and reel

• Data Retention > 200 years

A11

OE/V^PP

A10

• Available for the following temperature ranges

- Commercial:

- Industrial:

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

V^SS

- Automotive:

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 27C512A is a CMOS

512K bit electrically Programmable Read Only Memory

(EPROM). The device is organized into 64K words by

8 bits (64K bytes). Accessing individual bytes from an

address transition or from power-up (chip enable pin

going low) is accomplished in less than 90 ns. This

very high speed device allows the most sophisticated

microprocessors to run at full speed without the need

for WAIT states. CMOS design and processing

enables this part to be used in systems where reduced

power consumption and high reliability are require-

ments.

A complete family of packages is offered to provide the

most flexibility in applications. For surface mount appli-

cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape or

reel packaging is also available for PLCC or SOIC

packages.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11173G-page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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27C512A-10E/TS	MICROCHIP	获取价格	64K X 8 OTPROM, 100 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28
27C512A-10E/VS	MICROCHIP	获取价格	64K X 8 OTPROM, 100 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, VSOP-28
27C512A10EL	ETC	获取价格	x8 EPROM
27C512A-10EL	MICROCHIP	获取价格	512K (64K x 8) CMOS EPROM
27C512A10EP	ETC	获取价格	x8 EPROM
27C512A-10EP	MICROCHIP	获取价格	512K (64K x 8) CMOS EPROM
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