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Datasheet > 存储 > OTP ROM> 27C010TRT1FE-12
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27C010TRT1FE-12

更新时间： 2024-11-23 22:09:43
品牌 Logo 应用领域
麦斯威 - MAXWELL 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 200K
描述
1 Megabit (128K x 8-Bit) - OTP EPROM

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27C010TRT1FE-12 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：QFP
包装说明：QFF,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.02
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-XQFP-F32
长度：20.828 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：QFF
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.588 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
总剂量：100k Rad(Si) V宽度：12.192 mm
Base Number Matches：1

27C010TRT1FE-12 数据手册

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27C010T  
1 Megabit (128K x 8-Bit) -  
OTP EPROM  
A5  
A9  
VPP  
A16  
A15  
A12  
A7  
32  
27C010T  
17  
VCC  
PGM  
NC  
1
1024 x 1024  
X-Decoder  
Memory Matrix  
A12  
A16  
A14  
A13  
A8  
I/O0  
I/O7  
Input  
Data  
Control  
Y-Gating  
Y-Decoder  
A6  
A5  
A9  
A4  
A11  
OE  
A3  
A2  
A10  
CE  
A1  
CE  
A0  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
OE  
A0-A4  
A10-A11  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
VSS  
PGM  
VCC  
H
: High Threshold Inverter  
VPP  
H
VSS  
16  
Logic Diagram  
FEATURES:  
DESCRIPTION:  
•
•
128k x 8 Bit OTP EPROM organization  
RAD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-  
tion  
Maxwell Technologies’ 27C010T high density 1 Megabit  
One-time Programmable Electrically Programmable Read  
Only Memory microcircuit features a greater than 100 krad (Si)  
total dose tolerance, depending upon space mission. The  
27C010T features fast address times and low power dissipa-  
tion. The 27C010T offers high speed programming using page  
programming mode. The 27C010T is offered in JEDEC-Stan-  
dard Byte-Wide EPROM pinouts, which allows socket replace-  
ment with Flash Memory and Mask ROMs.  
•
•
Total dose hardness:  
- >100 krad (Si), depending upon space mission  
Excellent Single Event Effects:  
- SELTH LET: > 80 MeV/mg/cm2  
- SEUTH LET (read mode): >80 Mev/mg/cm2  
Package:  
•
- 32 pin RAD-PAK® flat pack  
- Weight - 6.0 grams  
Fast access time:  
- 120, 150, 200 ns (max) times available  
Low power consumption:  
- Active mode: 50 mW/MHz (typ)  
- Standby mode: 5µW (typ)  
High speed page and word programming:  
- Page programming time: 14 sec (typ)  
Programming power supply:  
- VPP = 12.5 V ± 0.3 V  
Maxwell Technologies' patented RAD-PAK® packaging technol-  
ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-  
age. It eliminates the need for box shielding while providing  
the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space  
mission. In a GEO orbit, RAD-PAK provides greater than 100  
krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available  
with screening up to Class S.  
•
•
•
•
•
•
One-time Programmable  
Pin Arrangement  
- JEDEC standard byte-wide EPROM  
- Flash memory and mask ROM compatible  
12.12.01 Rev 2  
1
All data sheets are subject to change without notice  
(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com  
©2001 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  
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27C010TRT1FE-12 替代型号

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