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25AA160A-E/SN

更新时间: 2024-10-27 22:11:07
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
24页 503K
描述
16K SPI Bus Serial EEPROM

25AA160A-E/SN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.27
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):10 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.006 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

25AA160A-E/SN 数据手册

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25XX160A/B  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
Industrial (I):  
TAMB = -40°C to +85°C  
VCC = 1.8V to 5.5V  
AC CHARACTERISTICS  
Automotive (E): TAMB = -40°C to +125°C VCC = 2.5V to 5.5V  
Param.  
No.  
Sym.  
Characteristic  
Min.  
Max.  
Units  
Test Conditions  
1
2
3
FCLK Clock Frequency  
TCSS CS Setup Time  
TCSH CS Hold Time  
TCSD CS Disable Time  
10  
5
MHz 4.5V VCC 5.5V  
MHz 2.5V VCC < 4.5V  
MHz 1.8V VCC < 2.5V  
3
50  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
100  
150  
100  
200  
250  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
4
5
50  
ns  
Tsu  
Data Setup Time  
10  
20  
30  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
6
THD  
Data Hold Time  
20  
40  
50  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
7
8
9
TR  
TF  
CLK Rise Time  
CLK Fall Time  
Clock High Time  
500  
500  
ns  
ns  
(Note 1)  
(Note 1)  
THI  
50  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
100  
150  
10  
TLO  
Clock Low Time  
50  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
100  
150  
11  
12  
13  
TCLD Clock Delay Time  
50  
50  
ns  
ns  
TCLE  
TV  
Clock Enable Time  
Output Valid from Clock  
Low  
50  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
100  
160  
14  
15  
THO  
TDIS  
Output Hold Time  
0
ns  
(Note 1)  
Output Disable Time  
40  
80  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V (Note 1)  
2.5V VCC 4.5V (Note 1)  
1.8V VCC 2.5V (Note 1)  
160  
16  
THS  
HOLD Setup Time  
20  
40  
80  
ns  
ns  
ns  
4.5V VCC 5.5V  
2.5V VCC < 4.5V  
1.8V VCC < 2.5V  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from our web site:  
www.microchip.com.  
3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle is  
complete.  
2003 Microchip Technology Inc.  
DS21807B-page 3  

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