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25AA128XT-I/SM

更新时间： 2024-02-25 02:21:04

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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32页	508K
描述
16K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8

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25AA128XT-I/SM 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.55
最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	5.26 mm
内存密度：	131072 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.03 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms

25AA128XT-I/SM 数据手册

25AA128/25LC128

1.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(†)

Absolute Maximum Ratings

VCC.............................................................................................................................................................................6.5V

All inputs and outputs w.r.t. VSS ......................................................................................................... -0.6V to VCC +1.0V

Storage temperature .................................................................................................................................-65°C to 150°C

Ambient temperature under bias...............................................................................................................-40°C to 125°C

ESD protection on all pins..........................................................................................................................................4 kV

† NOTICE: Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the

device. This is a stress rating only and functional operation of the device at those or any other conditions above those

indicated in the operational listings of this specification is not implied. Exposure to maximum rating conditions for an

extended period of time may affect device reliability.

TABLE 1-1:

DC CHARACTERISTICS

Industrial (I):

Automotive (E): TA = -40°C to +125°C

TA = -40°C to +85°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.5V to 5.5V

DC CHARACTERISTICS

Param.

No.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Test Conditions

D001

VIH1

High-level input

voltage

.7 VCC

VCC+1

D002

D003

D004

D005

D006

VIL1

VIL2

VOL

VOH

Low-level input

voltage

-0.3

0.3VCC

0.2VCC

0.4

VCC2.7V

VCC < 2.7V

Low-level output

voltage

—

IOL = 2.1 mA

—

0.2

IOL = 1.0 mA, VCC < 2.5V

IOH = -400 A

High-level output

voltage

VCC -0.5

—

D007

D008

ILI

Input leakage current

—

±1

A

CS = VCC, VIN = VSS TO VCC

CS = VCC, VOUT = VSS TO VCC

ILO

Output leakage

current

D009

D010

CINT

Internal Capacitance

(all inputs and

outputs)

—

TA = 25°C, CLK = 1.0 MHz,

VCC = 5.0V (Note)

ICC Read

—

VCC = 5.5V; FCLK = 10.0 MHz;

SO = Open

VCC = 2.5V; FCLK = 5.0 MHz;

SO = Open

Operating Current

Standby Current

2.5

D011

D012

ICC Write

ICCS

—

VCC = 5.5V

VCC = 2.5V

—

A

CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or

VSS, 125°C

A

CS = VCC = 5.5V, Inputs tied to VCC or

VSS, 85°C

Note:

This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

DS21831E-page 2

 2003-2011 Microchip Technology Inc.

123 4 5 6 7...32

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25AA160-/P	MICROCHIP	16K SPI Bus Serial EEPROM	获取价格

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