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25AA128XT-I/SM

更新时间: 2024-02-04 15:32:34
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 508K
描述
16K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8

25AA128XT-I/SM 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.55
最大时钟频率 (fCLK):10 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:5.26 mm
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.03 mm
串行总线类型:SPI最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms

25AA128XT-I/SM 数据手册

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25AA128/25LC128  
BLOCK DIAGRAM  
STATUS  
Register  
HV Generator  
EEPROM  
Array  
Memory  
Control  
Logic  
X
I/O Control  
Logic  
Dec  
Page Latches  
Y Decoder  
SI  
SO  
CS  
SCK  
Sense Amp.  
R/W Control  
HOLD  
WP  
VCC  
VSS  
TABLE 2-1:  
INSTRUCTION SET  
Instruction Name  
READ  
Instruction Format  
Description  
Read data from memory array beginning at selected address  
Write data to memory array beginning at selected address  
Reset the write enable latch (disable write operations)  
Set the write enable latch (enable write operations)  
Read STATUS register  
0000 0011  
0000 0010  
0000 0100  
0000 0110  
0000 0101  
0000 0001  
WRITE  
WRDI  
WREN  
RDSR  
WRSR  
Write STATUS register  
FIGURE 2-1: READ SEQUENCE  
CS  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11  
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  
SCK  
SI  
Instruction  
16-bit Address  
1 15 14 13 12  
0
0
0
0
0
0
1
2
1
0
Data Out  
High-Impedance  
7
6
5
4
3
2
1
0
SO  
2003-2011 Microchip Technology Inc.  
DS21831E-page 7  

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