是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | TSSOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.26 |
其他特性: | 1000K ERASE/WRITE CYCLES; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 200 YEARS | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz |
数据保留时间-最小值: | 200 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 2048 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
串行总线类型: | I2C | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
24LCS52T/STA25 | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8 | |
24LCS52T-/STG | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T/STRVA | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, TSSOP-8 | |
24LCS52T-I/MC | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T-I/MCG | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T-I/MNY | MICROCHIP |
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24LCS52T-I/MNY | |
24LCS52T-I/MS | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T-I/MSG | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T-I/P | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ | |
24LCS52T-I/PG | MICROCHIP |
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2K 2.2V I2C⑩ Serial EEPROM with Software Writ |