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24LC08B/SL

更新时间: 2024-01-11 22:48:32
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 451K
描述
1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14

24LC08B/SL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSSOP
包装说明:4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-153, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.17
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010XMMRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.4 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:I2C最大待机电流:0.000001 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3 mm
最长写入周期时间 (tWC):5 ms写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

24LC08B/SL 数据手册

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24LC08B/16B MODULES  
FIGURE 8-1: CURRENT ADDRESS READ  
S
T
A
R
T
S
T
O
P
BUS ACTIVITY  
MASTER  
CONTROL  
BYTE  
DATA n  
SDA LINE  
S
P
A
C
K
N
O
BUS ACTIVITY  
A
C
K
FIGURE 8-2: RANDOM READ  
S
T
A
R
T
S
T
A
R
T
S
T
O
P
BUS ACTIVITY  
MASTER  
CONTROL  
BYTE  
WORD  
ADDRESS (n)  
CONTROL  
BYTE  
DATA (n)  
S
P
S
SDA LINE  
A
C
K
A
C
K
A
C
K
N
O
BUS ACTIVITY  
A
C
K
FIGURE 8-3: SEQUENTIAL READ  
S
T
O
P
BUS ACTIVITY  
MASTER  
CONTROL  
BYTE  
DATA n  
DATA n + 1  
DATA n + 2  
DATA n + X  
SDA LINE  
P
A
C
K
A
C
K
A
C
K
A
C
K
N
O
BUS ACTIVITY  
A
C
K
DS21224A-page 8  
1997 Microchip Technology Inc.  

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