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24LC08B-E/PG

更新时间： 2024-11-16 22:44:55

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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26页	368K
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8K IC SERIAL EEPROM

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24LC08B-E/PG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010XMMR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.27 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.334 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24LC08B-E/PG 数据手册

24AA08/24LC08B

8K I²C^™Serial EEPROM

Description:

Device Selection Table

The Microchip Technology Inc. 24AA08/24LC08B

(24XX08*) is a 8 Kbit Electrically Erasable PROM. The

device is organized as four blocks of 256 x 8-bit

memory with a 2-wire serial interface. Low voltage

design permits operation down to 1.8V, with standby

and active currents of only 1 μA and 1 mA,

Part

Number

VCC

Range

Max Clock

Frequency

Temp

Ranges

24AA08

1.8-5.5

2.5-5.5

400 kHz⁽¹⁾

400 kHz

24LC08B

I, E

Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V

respectively. The 24XX08 also has a page write

capability for up to 16 bytes of data. The 24XX08 is

available in the standard 8-pin PDIP, surface mount

SOIC, TSSOP, 2x3 DFN and MSOP packages, and is

also available in the 5-lead SOT-23 package.

Features:

• Single supply with operation down to 1.8V

• Low-power CMOS technology:

- 1 mA active current, typical

Block Diagram

- 1 μA standby current, typical (I-temp)

• Organized as 4 blocks of 256 bytes (4 x 256 x 8)

• 2-wire serial interface bus, I²C™ compatible

• Schmitt Trigger inputs for noise suppression

• Output slope control to eliminate ground bounce

• 100 kHz (<2.5V) and 400 kHz (≥2.5V) compatibility

• Self-timed write cycle (including auto-erase)

• Page write buffer for up to 16 bytes

• 2 ms typical write cycle time for page write

• Hardware write-protect for entire memory

• Can be operated as a serial ROM

Generator

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

XDEC

Page

Latches

I/O

SCL

YDEC

SDA

• Factory programming (QTP) available

• ESD protection > 4,000V

Sense Amp.

R/W Control

VCC

VSS

• 1,000,000 erase/write cycles

Package Types

• Data retention > 200 years

SOIC, TSSOP

• 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP, DFN and MSOP

packages

PDIP, MSOP

VCC

• 5-lead SOT-23 package

• Standard and Pb-free finishes available

• Available for extended temperature ranges:

- Industrial (I): -40°C to +85°C

SCL

SDA

VSS

SDA VSS

- Automotive (E): -40°C to +125°C

SOT-23-5

DFN

VCC

Vcc

SCL

SDA

VSS

Vss

SDA

Note:

Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX08. (No

internal connections).

*24XX08 is used in this document as a generic part

number for the 24AA08/24LC08B devices.

DS21710D-page 1

12 3 4 5 6 7...26

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