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243NQ080E3

更新时间: 2024-11-12 08:30:55
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 240A, 80V V(RRM), Silicon,

243NQ080E3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.69应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X1最大非重复峰值正向电流:3300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:240 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:80 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

243NQ080E3 数据手册

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