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23A256T-I/SN

更新时间: 2024-02-13 03:55:17
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路静态存储器光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
28页 542K
描述
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM

23A256T-I/SN 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.76
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.4 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:3 mm
Base Number Matches:1

23A256T-I/SN 数据手册

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DS22100E-page 8  
2010 Microchip Technology Inc.  

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