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23A512-E/SN

更新时间: 2024-02-11 00:42:23
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 1095K
描述
STANDARD SRAM

23A512-E/SN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:14 weeks风险等级:5.47
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260筛选级别:TS 16949
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压 (Vsup):2.2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

23A512-E/SN 数据手册

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