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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMT, 2512 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8533.21.00.30 | 风险等级： | 5.42 |
| 其他特性： | LASER TRIMMABLE | 构造： | Chip |
| JESD-609代码： | e3 | 安装特点： | SURFACE MOUNT |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 155 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装高度： | 0.55 mm |
| 封装长度： | 6.35 mm | 封装形状： | RECTANGULAR PACKAGE |
| 封装形式： | SMT | 封装宽度： | 3.1 mm |
| 包装方法： | TR, EMBOSSED, 7 INCH | 额定功率耗散 (P)： | 1 W |
| 额定温度： | 70 °C | 电阻： | 2100000 Ω |
| 电阻器类型： | FIXED RESISTOR | 尺寸代码： | 2512 |
| 子类别： | Fixed Resistors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | METAL GLAZE/THICK FILM | 温度系数： | 100 ppm/ °C |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形状： | WRAPAROUND |
| 容差： | 1% | 工作电压： | 200 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 232276362325L | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2320000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surfa |
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| 232276362491 | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 249ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface M |
|
| 232276362491L | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 249ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface M |
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| 232276362492 | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2490ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface |
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| 232276362492L | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2490ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface |
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| 232276362495L | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2490000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surfa |
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| 232276362498 | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 2.49ohm, 200V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface |
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| 232276362499 | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 24.9ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface |
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| 232276362499L | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 24.9ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface |
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| 232276362611 | YAGEO |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 261ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface M |
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