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21F02B

更新时间: 2024-11-15 21:07:35
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恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 350 ns, PDIP16, Static RAM

21F02B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.71
最长访问时间:350 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX1
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

21F02B 数据手册

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