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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 350 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 21F02I | NXP | IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 350 ns, CDIP16, Static RAM |
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| 21FB4415 | CDE | Film Capacitor, Polypropylene, 10% +Tol, 10% -Tol, 15uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED |
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| 21FB4415A-F | CDE | Film Capacitor |
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| 21FB4415-F | CDE | AC Motor Run Capacitors Oval and Round, Oil F |
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| 21FB4420 | CDE | Film Capacitor, Polypropylene, 10% +Tol, 10% -Tol, 20uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED |
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| 21FB4420A-F | CDE | Film Capacitor |
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