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20SQ045-3G_18

更新时间: 2022-02-26 12:55:45
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德欧泰克 - DIOTEC /
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描述
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation

20SQ045-3G_18 数据手册

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20SQ045-3G  
20SQ045-3G  
IFAV  
= 20 A  
VRRM = 45 V  
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation  
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation  
VF@5A < 0.43 V  
Tjmax = 150°C  
IFSM = 310/350 A  
VF125 ~ 0.25 V @ 5 A  
Version 2018-09-27  
Ø 5.4 x 7.5  
Typical Applications  
Solar Bypass Diodes, Polarity  
Typische Anwendungen  
Solar-Bypassdioden,  
Protection, Free-wheeling diodes,  
Output Rectification in DC/DC  
Converters  
Verpolschutz, Freilaufdioden,  
Ausgangsgleichrichtung in  
Gleichstromwandlern  
Commercial grade 1)  
Standardausführung 1)  
Ø 5.4±0.1  
Features  
Besonderheiten  
Optimale Auswahl von VF und IR )  
2
2
Best trade-off between VF and IR )  
Much smaller package outline  
than industry standard  
Gehäusegröße sehr viel kleiner  
als Industriestandard  
Halogen  
FREE  
S
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
E
V
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Ø 1.2±0.05  
Taped in ammo pack  
500  
Gegurtet in Ammo-Pack  
On request: on 13” reel  
1000  
Auf Anfrage: auf 13” Rolle  
Weight approx.  
Case material  
1.7 g  
Gewicht ca.  
UL 94V-0  
Gehäusematerial  
Dimensions - Maße [mm]  
Solder & assembly conditions  
260°C/10s  
MSL N/A  
Löt- und Einbaubedingungen  
Maximum ratings 3)  
Grenzwerte 3)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
20SQ045-3G  
45  
45  
Max. average forward rectified current  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung  
TA = 50°C  
IFAV  
IFSM  
i2t  
20 A 4)  
Peak forward surge current  
Stoßstrom in Fluss-Richtung  
Half sine-wave  
Sinus-Halbwelle  
50 Hz (10 ms)  
60 Hz (8.3 ms)  
310 A  
350 A  
Rating for fusing  
Grenzlastintegral  
t < 10 ms  
480 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+150°C  
2,5  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
≤ 200°C  
)
Storage temperature  
Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+150°C  
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”  
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”  
3
4
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test  
5
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
 
 

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