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20MT120UFAPBF

更新时间： 2024-02-21 18:43:45
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
11页 222K
描述
"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A

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20MT120UFAPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P18
针数：18Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63其他特性：UL APPROVED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-P18元件数量：4
端子数量：18封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

20MT120UFAPBF 数据手册

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20MT120UFAPbF  
Vishay Semiconductors  
"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A  
FEATURES  
• Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology  
• Positive VCE(on) temperature coefficient  
• 10 μs short circuit capability  
• HEXFRED® antiparallel diodes with ultrasoft reverse  
recovery  
• Low diode VF  
• Square RBSOA  
• Al2O3 DBC substrate  
MTP  
• Very low stray inductance design for high speed operation  
• UL approved file E78996  
• Speed 8 kHz to 60 kHz  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified for industrial level  
PRODUCT SUMMARY  
BENEFITS  
VCES  
1200 V  
20 A  
• Optimized for welding, UPS and SMPS applications  
• Rugged with ultrafast performance  
• Outstanding ZVS and hard switching operation  
• Low EMI, requires less snubbing  
• Excellent current sharing in parallel operation  
• Direct mounting to heatsink  
IC at TC = 96 °C  
VCE(on) (typical)  
at IC = 20 A, 25 °C  
3.29 V  
• PCB solderable terminals  
• Very low junction to case thermal resistance  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCES  
IC  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
1200  
20  
UNITS  
Collector to emitter breakdown voltage  
Continuous collector current  
Pulsed collector current  
V
TC = 96 °C  
ICM  
100  
100  
100  
20  
A
Clamped inductive load current  
Diode maximum forward current  
Gate to emitter voltage  
ILM  
IFM  
VGE  
V
RMS isolation voltage  
VISOL  
Any terminal to case, t = 1 minute  
TC = 25 °C  
2500  
240  
96  
Maximum power dissipation (only IGBT)  
PD  
W
T
C = 100 °C  
Document Number: 94470  
Revision: 03-Aug-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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