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20MT120UFAPBF

更新时间： 2024-01-27 14:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
11页 222K
描述
"Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A

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20MT120UFAPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P18
针数：18Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63其他特性：UL APPROVED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-P18元件数量：4
端子数量：18封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

20MT120UFAPBF 数据手册

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20MT120UFAPbF  
Vishay Semiconductors  
"Full Bridge" IGBT MTP  
(Ultrafast NPT IGBT), 20 A  
160  
140  
1000  
100  
10  
DC  
120  
100  
80  
60  
1
40  
10  
100  
1000  
10000  
0
5
10  
15  
20  
25  
V
(V)  
CE  
I
C
(A)  
Fig. 1 - Maximum DC Collector Current vs. Case Temperature  
Fig. 4 - Reverse Bias SOA  
TJ = 150 °C; VGE = 15 V  
250  
200  
150  
100  
50  
100  
80  
60  
40  
20  
0
V
= 18V  
GE  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 8.0V  
0
0
2
4
6
8
10  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
(°C)  
V
(V)  
T
CE  
C
Fig. 2 - Power Dissipation vs. Case Temperature  
Fig. 5 - Typical IGBT Output Characteristics  
TJ = - 40 °C; tp = 80 μs  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1000  
100  
V
= 18V  
GE  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 8.0V  
10 µs  
10  
100 µs  
1
1ms  
DC  
0.1  
0.01  
1
10  
100  
(V)  
1000  
10000  
0
2
4
6
8
10  
V
V
(V)  
CE  
CE  
Fig. 3 - Forward SOA  
C = 25 °C; TJ 150 °C  
Fig. 6 - Typical IGBT Output Characteristics  
TJ = 25 °C; tp = 80 μs  
T
www.vishay.com  
4
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
Document Number: 94470  
Revision: 03-Aug-10  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
20MT120UFP VISHAY

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 		'Full Bridge' IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A
20MT120UFPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MTP, 18 PIN
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