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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 20ETS08STRRPBF
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20ETS08STRRPBF

更新时间： 2024-02-06 12:52:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管高压高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 169K
描述
Input Rectifier Diode, 20 A

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20ETS08STRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.18
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

20ETS08STRRPBF 数据手册

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VS-20ETS08SPbF, VS-20ETS12SPbF High Voltage Series  
Vishay Semiconductors  
Input Rectifier Diode, 20 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 260 °C  
Base cathode  
2
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
1
3
• Designed and qualified for industrial level  
Anode  
Anode  
D2PAK  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
PRODUCT SUMMARY  
VF at 10 A  
< 1 V  
DESCRIPTION  
IFSM  
300 A  
The VS-20ETS...SPbF rectifier High Voltage Series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
VRRM  
800 V/1200 V  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
16.3  
21  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
20  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
300  
A
VF  
20 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
V
RRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
V
RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
I
RRM AT 150 °C  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
mA  
VS-20ETS08SPbF  
VS-20ETS12SPbF  
800  
900  
1
1200  
1300  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
20  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 105 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
250  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
300  
316  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
442  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
4420  
A2s  
Document Number: 94340  
Revision: 28-Jul-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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