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1ZB330

更新时间: 2024-11-09 22:07:47
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东芝 - TOSHIBA 瞬态抑制器二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

1ZB330 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, 3-3F2A, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
Is Samacsys:N最大击穿电压:363 V
最小击穿电压:297 V击穿电压标称值:330 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:200 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1ZB330 数据手册

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