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1SV128

更新时间: 2024-11-17 22:10:27
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东芝 - TOSHIBA 射频衰减器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
DIODE (VHF~UHF BAND RF ATTENUATOR APPLICATIONS)

1SV128 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-59
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.21
应用:ATTENUATOR最小击穿电压:50 V
配置:SINGLE标称二极管电容:0.25 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:PIN DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
少数载流子标称寿命:0.4 µs元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified反向测试电压:50 V
子类别:PIN Diodes表面贴装:YES
技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SV128 数据手册

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